Siプロセスにおける表面水素の役割を,種々の吸着に対する保護膜として位置附けて論じた。表面水素を酸化(酸素,水の吸着)あるいは汚染吸着に対する保護膜として考えるのがいわゆるHF処理だが,その保護性は不完全である。HF処理の欠点を補うために,HF処理の後にUVオゾンクリー二ングを行うHF/UVOC法を開発した。表面水素はエピタキシー原料ガスに対しても吸着保護膜としてはたらく。これはCVDやGSMBEの成長律速要因として機能するが,一方これを積極的に成長制御因子として利用することが可能である。著者らは表面水素を利用したシラン原子層エピタキシーを開発し,1/4原子層単位で成長が制御できることを見出した。