広島大学工学部
1992 年 13 巻 6 号 p. 358-364
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本稿では,フーリエ変換赤外分光法-減衰全反射法(FTIR-ATR)という手法をin-situ化し,Siプロセスの表面・界面での反応過程を調べ,いくつかの知見を得たので紹介する。まず,この手法を用いるに至った背景を述べ,続いて最近の研究例として,Siの自然酸化膜成長過程,層間絶縁膜の平坦化のためのCVDプロセスおよびAl選択CVDプロセスについての結果を紹介する。
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