局所密度汎関数法に基づく ab initio な電子状態計算の進歩により, 半導体表面と吸着子の相互作用や反応素過程を調べることが可能となってきた。化学反応性の高いハロゲン原子を用いるドライエッチングは重要な半導体加工プロセス技術であるが, その反応素過程は十分には解明されていない。本稿では, ハロゲン原子の半導体表面への吸着過程, 表面再構成の変化,表面バック・ボンドへの影響, 表面近傍での反応過程などを理論的に調べ, 半導体のエッチング機構を議論する。