今回の研究により,軟X線分光法のIEV法による非破壊深さ方向分析を用いてパラジウム/シリコン接合界面においてPd2Si相が室温で生成していることを示す結果が得られた。これは,軟X線分光法によって,短時間に堆積させた比較的厚い膜厚のパラジウム薄膜(～20nm)/シリコン基板接合系の埋もれた界面の構造を初めて非破壊的に明らかにしたことを示したものである。また,これにより,その他の系での金属(薄膜あるいは厚膜)/シリコン接合界面における室温界面反応の研究を軟X線分光法を用いてTiうことができるという可能性を示した。
