表面科学
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中エネルギーイオン散乱法によるSi上の金属薄膜成長
越川 孝範安江 常夫
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1993 年 14 巻 7 号 p. 391-396

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抄録

中エネルギーイオン散乱法(MEIS)は非破壊かつ深さ方向に高分解能で構造解析や濃度測定が可能であるため表面や界面の研究にとって非常に有力な測定法として認められている。最近では,1原子層オーダーの深さ方向分解能での測定も可能になってきた。ここでは,シリコン上に金属薄膜を成長させたいくつかの実験例を示し,MEISを用いた研究の一端とその動向につき解説を行う。

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© 社団法人 日本表面科学会
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