青・緑色領域のレーザーダイオード材料として注目されているZnSe系のII-VI族化合物半導体について,分子線エピタキシー法による結晶成長と伝導型制御技術の現状を解説する。n型化は塩素,P型化は窒素の添加が有効である。特に後者については,プラズマ励起による活性窒素を成長中に添加する新しい手法により,従来きわめて困難であった低抵抗P型結晶が実現している。これらの技術を用いて作製した青緑色レーザーダイオードの特性についても紹介する。