Electronic States and Contact Electrification of Polymer Surface

Kazuhiko YANAGIDA

doi:10.1380/jsssj.15.560

高分子表面の電子状態と帯電

柳田和彦

著者情報

ジャーナルフリー

1994 年 15 巻 9 号 p. 560-565

DOI https://doi.org/10.1380/jsssj.15.560

詳細

発行日: 1994/11/10 受付日: 1994/05/12 J-STAGE公開日: 2009/08/07 受理日: 1994/05/12 早期公開日: - 改訂日: -
訂正情報
訂正日: 2009/08/07 訂正理由: - 訂正箇所: 引用文献情報訂正内容: Wrong : 2) W. R. Harper : Proc. R. Soc., Ser. A 205, 83 (1951).
3) W. L. McCubbin and R. Manne : Chem. Phys. Lett. 2, 230 (1968).
4) J. M. Andre, G. S. Kapsomenos and G. M. Leroy : Chem. Phys. Lett. 8, 195 (1971).
5) M. J. Dewar, Y. Yamaguchi and S. H. Suck : Chem. Phys. 43, 145 (1979).
6) K. J. Less and E. G. Wilson : J. Phys. C 6, 3110 (1973).
7) K. Seki, S. Hashimoto, N. Sato, Y. Harada, K. Ishii, H. Inokuchi and J. Kanbe : J. Chem. Phys. 66, 3644 (1977).
8) M. Fujihira and H. Inokuchi : Chem. Phys. Lett. 19, 584 (1973).
9) S. X. Chen, K. Seki, H. Inokuchi, N. Ueno and K. Sugita : Polymer J. 15, 763 (1983).
10) S. X. Chen, K. Seki, H. Inokuchi, S. Hashimoto, N. Ueno and K. Sugita : Bull. Chem. Soc. Jpn. 58, 890 (1985).
11) D. K. Davies : Brit. J. Appl. Phys. 2, 1533 (1969).
12) J. C. Riviere : Solid State Surface Sci. 1, 79 (1969).
13) W. Possart and I. Müller : Phys. Status Solidi (a) 110, 205 (1988).
14) Y. Murata : Jpn. J. Appl. Phys. 18, 1 (1979).
15) H. W. Gibson : J. Am. Chem. Soc. 97, 3882 (1975).
16) I. Shinohara, F. Yamamoto, H. Anzai and S. Endo : J. Electrostat. 2, 99 (1976).
17) C. B. Duke and T. J. Fabish : Phys. Rev. Lett. 37, 1075 (1976).
18) C. B. Duke, W. R. Salaneck, T. J. Fabish, J. J. Ritsko, H. R. Thomas and A. Paton : Phys. Rev. B 18, 5717 (1978).
19) T. J. Fabish, H. M. Saltsburg and M. H. Hair: J. Appl. Phys. 47, 930 (1976).
20) M. Zielinski, M. Pope, N. Wang, C. Horvath and N. E. Geacintov : Chem. Phys. Lett. 165, 297 (1990).
21) K. Yanagida, K. Oka and O. Okada : Jpn. J. Appl. Phys. 32, 5603 (1993).
22) H. Kirihata and M. Uda : Rev. Sci. Instrum. 52, 68 (1981).
23) M. Fujihira and H. Inokuchi : Chem. Phys. Lett. 19, 584 (1973).
24) S. X. Chen, K. Seki, H. Inokuchi, N. Ueno and K. Sugita : Polymer J. 15, 763 (1983).
25) M. J. S. Dewar and W. Thiel : J. Am. Chem. Soc. 99, 4899 (1977).
26) H. W. Gibson, J. M. Pochan and F. C. Bailey : Anal. Chem. 51, 483 (1979).
27) J. M. O'Reilly and P. F. Erhardt : Electrophotography, 2nd Int. Conf. (Published by SPSE, 1974), pp. 95-100.

Right : 2) W. R. Harper : Proc. R. Soc., Ser. A 205, 83 (1951).
3) W. L. McCubbin and R. Manne : Chem. Phys. Lett. 2, 230 (1968).
4) J. M. Andre, G. S. Kapsomenos and G. M. Leroy : Chem. Phys. Lett. 8, 195 (1971).
5) M. J. Dewar, Y. Yamaguchi and S. H. Suck : Chem. Phys. 43, 145 (1979).
6) K. J. Less and E. G. Wilson : J. Phys. C 6, 3110 (1973).
7) K. Seki, S. Hashimoto, N. Sato, Y. Harada, K. Ishii, H. Inokuchi and J. Kanbe : J. Chem. Phys. 66, 3644 (1977).
8) M. Fujihira and H. Inokuchi : Chem. Phys. Lett. 19, 584 (1973).
9) S. X. Chen, K. Seki, H. Inokuchi, N. Ueno and K. Sugita : Polymer J. 15, 763 (1983).
10) S. X. Chen, K. Seki, H. Inokuchi, S. Hashimoto, N. Ueno and K. Sugita : Bull. Chem. Soc. Jpn. 58, 890 (1985).
11) D. K. Davies : Brit. J. Appl. Phys. 2, 1533 (1969).
12) J. C. Riviere : Solid State Surface Sci. 1, 79 (1969).
13) W. Possart and I. Müller : Phys. Status Solidi (a) 110, 205 (1988).
14) Y. Murata : Jpn. J. Appl. Phys. 18, 1 (1979).
15) H. W. Gibson : J. Am. Chem. Soc. 97, 3882 (1975).
16) I. Shinohara, F. Yamamoto, H. Anzai and S. Endo : J. Electrostat. 2, 99 (1976).
17) C. B. Duke and T. J. Fabish : Phys. Rev. Lett. 37, 1075 (1976).
18) C. B. Duke, W. R. Salaneck, T. J. Fabish, J. J. Ritsko, H. R. Thomas and A. Paton : Phys. Rev. B 18, 5717 (1978).
19) T. J. Fabish, H. M. Saltsburg and M. H. Hair: J. Appl. Phys. 47, 930 (1976).
20) M. Zielinski, M. Pope, N. Wang, C. Horvath and N. E. Geacintov : Chem. Phys. Lett. 165, 297 (1990).
21) K. Yanagida, K. Oka and O. Okada : Jpn. J. Appl. Phys. 32, 5603 (1993).
22) H. Kirihata and M. Uda : Rev. Sci. Instrum. 52, 68 (1981).
23) M. Fujihira and H. Inokuchi : Chem. Phys. Lett. 19, 584 (1973).
24) S. X. Chen, K. Seki, H. Inokuchi, N. Ueno and K. Sugita : Polymer J. 15, 763 (1983).
25) M. J. S. Dewar and W. Thiel : J. Am. Chem. Soc. 99, 4899 (1977).
26) H. W. Gibson, J. M. Pochan and F. C. Bailey : Anal. Chem. 51, 483 (1979).
27) J. M. O'Reilly and P. F. Erhardt : Electrophotography, 2nd Int. Conf. (Published by SPSE, 1974), pp. 95-100.

抄録

物質の表面が関与する現象のひとつに接触帯電がある。高分子の帯電は電子が関与し,その振舞いは接触する二つの物質の仕事関数と関連しているといわれている。このモデルでは,高分子のイオン化ポテンシャルよりも浅いレベルに電子の受入や放出のサイトとして何らかの電子レベルが存在することが仮定されている。この電子レベルについて,不純物など外因的なレベルとする考えと,高分子の化学構造と関係した内因的な電子レベルとする考えがあったが,これまでそうしたレベルを直接明らかにした研究は行われていなかった。最近,大気中での光電子放出や仕事関数の測定により,3.4から6.2eV付近の高分子の電子レベルが調べられ,化学構造や帯電との関係が検討された。その結果,高分子の低エネルギー側の電子状態は,その化学構造と相関があり,かつ帯電ともよい相関をもつことが明らかになってきた。

責任著者(Corresponding author)

訂正情報

J-STAGEへの登録はこちら（無料）