非晶質SiO₂膜上への単結晶Si薄膜成長を可能とするSiのラテラル固相エピタキシーについて概観する。まず,ラテラル固相エピタキシーの原理と実験方法を示し,ついで,本エピタキシーの特徴であるファセット形成と多結晶化現象による横方向成長距離の制限について述べる。さらに,横方向成長距離の拡大のため提案された局所ドーピング法などの手法を報告し,また,得られた結晶の電気的特性を膜内に作製したトランジスタの特性で評価した結果について報告し,Siのラテラル固相エピタキシーが素子応用にたいして高いポテンシャルを有することを示す。