LSI材料としての金属シリサイド技術の歴史的背景, 材料の物性, 現在および将来のULSIで要求される性能, 技術課題を総括する。特に, Ti, Co, Niなどのシリサイドの形成方法, 物性, 問題点について明らかになっている点と現在の残されている問題点を解説し, 今後重要と考えられる, 細線効果抑制, pn接合リーク電流およびコンタクト抵抗の低減化に関し議論を行う。