チタン・シリサイドプロセスにおける構造相転移の問題について
1995 年 16 巻 4 号 p. 233-237
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1995 年 16 巻 4 号 p. 233-237
LSI製造に用いられるシリサイドプロセスでは, 固相反応によりセルフアライン構造を形成できることが大きなメリットになっている。このセルフアライン構造にシリサイドを形成する方法はサリサイド (SALICIDE : Self-aligned silicide) 技術と呼ばれている。ここでは2段階熱処理法による, 一般的なチタンサリサイドの製造方法を説明し, さらにこのチタンシリサイドプロセスで発生する層抵抗増大の原因解析において, 構造相転移に着目したシリサイド物性研究の一端を解説する。
