シリコン大規模集積回路 (ULSI) の極微細化ともに, コンタクト抵抗やその信頼性にかかわる諸問題が深刻化し, 新しい低抵抗コンタクト材料の開発や金属/半導体界面の固相反応の理解と制御が必要となっている。このためには, 界面の結晶学的構造と電子的状態, 電気的特性の関連を包括的に理解することが不可欠である。本報告ではHf/Si (001) コンタクトを中心にして, 高融点金属/シリコンの界面の結晶学的構造やコンタクト抵抗率, ショットキー障壁高さなどの電気的特性について述べ, シリサイド化反応とコンタクト特性の関連について明らかにする。