単原子層操作は面方向の究極の材料プロセス技術であり,将来のナノ材料,ナノデバイスの製作のうえで必要不可欠な技術になると予想される。本解説では,単原子層操作(単原子層エピタキシー,単原子層エッチング)の概念を説明し,プロセスの単原子層での自己停止機構が単原子層操作の本質であることを述べ,その機構を議論している。また,単原子層エピタキシーではその量子細線作成への応用を示し,その制御性の良さを議論し,単原子層エッチングでは,その実験結果を示し,その特徴について議論している。