Possibility of Microfabirication and Atomic Layer Etching Controlled by X-ray Excited Processes

Shingo TERAKADO

doi:10.1380/jsssj.16.360

X線による微細加工と原子層エッチングの可能性

寺門伸悟

著者情報

ジャーナルフリー

1995 年 16 巻 6 号 p. 360-366

DOI https://doi.org/10.1380/jsssj.16.360

詳細

発行日: 1995/06/10 受付日: 1994/12/26 J-STAGE公開日: 2009/08/07 受理日: 1994/12/26 早期公開日: - 改訂日: -
訂正情報
訂正日: 2009/08/07 訂正理由: - 訂正箇所: 引用文献情報訂正内容: Wrong : 2) H. Sakaue, S. Iseda, K. Asami, J. Yamamoto, M. Hirose and Y. Horiike : Jpn. J. Appl. Phys. 29, 2648 (1990).
3) Y. Aoyagi, K. Shinmura, K. Kawasaki, T. Tanaka, K. Gamo and S. Namba : Appl. Phys. Lett. 60, 968 (1992).
4) P. A. Maki and D. J. Ehrlich : Appl. Phys. Lett. 55, 91 (1989).
5) T. Urisu and H. Kyuragi : J. Vac. Sci. Technol. B5, 1436 (1987).
6) N. Hayasaka, A. Hiraya and K. Shobatake : Jpn. J. Appl. Phys. 26, L1110 (1987).
7) K. Shobatake, H. Ohashi, K. Fukui, A. Hiraya, N. Hayasaka, H. Okano, A. Yoshida and H. Kume : Appl. Phys. Lett. 56, 2189 (1990).
8) S. Terakado, J. Nishino, M. Morigami, M. Harada, S. Suzuki, K. Tanaka and J. Chikawa : Jpn. J. Appl. Phys. 29, L709 (1990).
9) Y. Utsumi, J. Takahashi and T. Urisu : J. Vac. Sci. Technol. B9, 2507 (1991).
10) T. Goto, O. Kitamura, S. Terakado, S. Suzuki and K. Tanaka : Jpn. J. Appl. Phys. 31, 4449 (1992).
11) H. Ohashi, A. Yoshida, K. Tabayashi and K. Shobatake : Appl. Surf. Sci. 69, 20 (1993).
12) S. Terakado, O. Kitamura, S. Suzuki and K. Tanaka J. Vac. Sci. Technol. B11, 1890 (1993).
13) S. Terakado, M. Ogura, S. Suzuki and K. Tanaka J. Vac. Sci. Technol. A12, 379 (1994).
14) S. Terakado, K. Kaneda, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Phys. Lett. 64, 1045 (1994).
15) S. Terakado, T. Goto, M. Ogura, K. Kaneda, O. Kitamura, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Phys. Lett. 64, 1659 (1994).
16) M. Ogura, S. Terakado, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Surf. Sci. 79/80, 110 (1994).
17) O. Kitamura, T. Goto, S. Terakado, S. Suzuki, T. Sekitani and K. Tanaka: Appl. Surf. Sci. 79/80, 122 (1994).
18) O. Kitamura, S. Terakado, T. Goto, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Phys. Lett. 65, 192 (1994).
19) T. J. Chuang : J. Vac. Sci. Technol. 21, 798 (1982) ; T. J. Chuang : Surf. Sci. Rep. 3, 1 (1983).
20) T. E. Madey, D. E. Ramaker and R. Stockbauer : Ann. Rev. Phys. Chem. 35, 215 (1984).
21) N. Hayasaka, H. Okano, M. Sekine and Y. Horiike : Appl. Phys. Lett. 48, 1165 (1986).
22) N. Ueno, T. Mitsuhata, K. Sugita and K. Tanaka : Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1723 (1988).
24) W. V. Münch : J. Electronic Materials 6, 449 (1977).
25) J. Sugiura, W. J. Lu, K. C. Cadien and A. J. Steckl : J. Vac. Sci. Technol. B4, 349 (1986).
26) W. Gudat and C. Kunz : Phys. Rev. Lett. 29, 169 (1972).
27) D. J. Ehrlich, J. Y. Tsao and C. O. Bozler : J. Vac. Sci. Technol. B3, 1 (1985).
28) H. Okano, Y. Horiike and M. Sekine : Jpn. J. Appl. Phys. 24, 68 (1985).
30) K. Suzuki : Proc. of 1989 Intern. Symp. on MicroProcess Conf. (The Japanese Society of Applied Physics, Kobe, 1989), p. 76.
32) M. Ishii, K. Nakashima, I. Tajima and M. Yamamoto : Appl. Phys. Lett. 58, 1378 (1991).

Right : 2) H. Sakaue, S. Iseda, K. Asami, J. Yamamoto, M. Hirose and Y. Horiike : Jpn. J. Appl. Phys. 29, 2648 (1990).
3) Y. Aoyagi, K. Shinmura, K. Kawasaki, T. Tanaka, K. Gamo and S. Namba : Appl. Phys. Lett. 60, 968 (1992).
4) P. A. Maki and D. J. Ehrlich : Appl. Phys. Lett. 55, 91 (1989).
5) T. Urisu and H. Kyuragi : J. Vac. Sci. Technol. B5, 1436 (1987).
6) N. Hayasaka, A. Hiraya and K. Shobatake : Jpn. J. Appl. Phys. 26, L1110 (1987).
7) K. Shobatake, H. Ohashi, K. Fukui, A. Hiraya, N. Hayasaka, H. Okano, A. Yoshida and H. Kume : Appl. Phys. Lett. 56, 2189 (1990).
8) S. Terakado, J. Nishino, M. Morigami, M. Harada, S. Suzuki, K. Tanaka and J. Chikawa : Jpn. J. Appl. Phys. 29, L709 (1990).
9) Y. Utsumi, J. Takahashi and T. Urisu : J. Vac. Sci. Technol. B9, 2507 (1991).
10) T. Goto, O. Kitamura, S. Terakado, S. Suzuki and K. Tanaka : Jpn. J. Appl. Phys. 31, 4449 (1992).
11) H. Ohashi, A. Yoshida, K. Tabayashi and K. Shobatake : Appl. Surf. Sci. 69, 20 (1993).
12) S. Terakado, O. Kitamura, S. Suzuki and K. Tanaka J. Vac. Sci. Technol. B11, 1890 (1993).
13) S. Terakado, M. Ogura, S. Suzuki and K. Tanaka J. Vac. Sci. Technol. A12, 379 (1994).
14) S. Terakado, K. Kaneda, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Phys. Lett. 64, 1045 (1994).
15) S. Terakado, T. Goto, M. Ogura, K. Kaneda, O. Kitamura, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Phys. Lett. 64, 1659 (1994).
16) M. Ogura, S. Terakado, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Surf. Sci. 79/80, 110 (1994).
17) O. Kitamura, T. Goto, S. Terakado, S. Suzuki, T. Sekitani and K. Tanaka: Appl. Surf. Sci. 79/80, 122 (1994).
18) O. Kitamura, S. Terakado, T. Goto, S. Suzuki and K. Tanaka : Appl. Phys. Lett. 65, 192 (1994).
19) T. J. Chuang : J. Vac. Sci. Technol. 21, 798 (1982) ; T. J. Chuang : Surf. Sci. Rep. 3, 1 (1983).
20) T. E. Madey, D. E. Ramaker and R. Stockbauer : Ann. Rev. Phys. Chem. 35, 215 (1984).
21) N. Hayasaka, H. Okano, M. Sekine and Y. Horiike : Appl. Phys. Lett. 48, 1165 (1986).
22) N. Ueno, T. Mitsuhata, K. Sugita and K. Tanaka : Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1723 (1988).
24) W. V. Münch : J. Electronic Materials 6, 449 (1977).
25) J. Sugiura, W. J. Lu, K. C. Cadien and A. J. Steckl : J. Vac. Sci. Technol. B4, 349 (1986).
26) W. Gudat and C. Kunz : Phys. Rev. Lett. 29, 169 (1972).
27) D. J. Ehrlich, J. Y. Tsao and C. O. Bozler : J. Vac. Sci. Technol. B3, 1 (1985).
28) H. Okano, Y. Horiike and M. Sekine : Jpn. J. Appl. Phys. 24, 68 (1985).
30) K. Suzuki : Proc. of 1989 Intern. Symp. on MicroProcess Conf. (The Japanese Society of Applied Physics, Kobe, 1989), p. 76.
32) M. Ishii, K. Nakashima, I. Tajima and M. Yamamoto : Appl. Phys. Lett. 58, 1378 (1991).

抄録

X線を用いた加工技術は,低温,低損傷,そして高制御性といった特長をもっており,原子層程度で制御された微細加工を可能にする技術として期待できる。本稿では,高制御(空間選択)エッチングおよびサブミクロンサイズの微細加工など,X線を用いたエッチング技術の現状について,われわれの結果を中心に紹介する。さらに,原子層単位で制御された微細加工をX線を用いて実現するためのアプローチ方法や将来展望などについてふれる。

責任著者(Corresponding author)

訂正情報

J-STAGEへの登録はこちら（無料）