表面科学
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並進エネルギーを制御した塩素分子線によるシリコンのエッチング反応
寺岡 有殿西山 岩男
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1995 年 16 巻 9 号 p. 550-556

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抄録

近年,超熱エネルギー領域の並進エネルギーをもつ中性分子線を用いたエッチング反応においても,並進エネルギーによって反応速度が増加する効果が見出されている。本稿では塩素とシリコンの表面反応を例にとり,分子線の並進エネルギーを制御する方法,塩素吸着構造とその熱的安定性,初期付着確率とエッチレートに対する塩素分子の並進エネルギーの影響,並進エネルギー誘起エッチングの反応閾値/活性化エネルギーの測定を中心に,塩素原子線による反応も含めて最近の研究例を紹介する。

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© 社団法人 日本表面科学会
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