非晶質基板上に堆積されたままの薄層の構造は,下地の長距離秩序の欠如のため短距離秩序のみ保持された非晶質か,良くて微細な結晶粒が無秩序な粒界を隔てて集合した多結晶となる。本研究は,新規な結晶成長法,SENTAXY(選択的単一核形成法)に基づき,非晶質基板上で核形成サイトの位置を人工的に制御することを提案する。すなわち,基板上の任意の位置で結晶核を発生させ,任意の大きさに結晶粒を成長させ,さらには粒界位置をも指定することが可能となる。本稿では,その基本的な考え方を説明し,シリコンにおける単一核を選択する手法を紹介し,その機構と解析について議論する。