局所分析への応用を目的とした中高エネルギー集束イオンビーム技術について,半導体微細構造の分析例を中心に,その現状と最近の発展について解説する。特に,多層配線層の非破壊3次元分析,集束イオンビーム注入層のチャネリングコントラストマッピング分析,および半導体メモリーの信頼性分析法であるソフトエラーマッピングとイオンビーム誘起電流測定法について,これらの分析技術の特長について述べ,最後に将来の展望について言及する。