Expectation of the Research of Surface XAFS Applications of New Synchrotron Sources

Masaharu NOMURA

doi:10.1380/jsssj.18.16

表面XAFS研究への期待

新しい放射光利用技術の活用

野村昌治

著者情報

ジャーナルフリー

1997 年 18 巻 1 号 p. 16-20

DOI https://doi.org/10.1380/jsssj.18.16

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発行日: 1997/01/10 受付日: 1996/08/22 J-STAGE公開日: 2009/08/07 受理日: 1996/08/22 早期公開日: - 改訂日: -
訂正情報
訂正日: 2009/08/07 訂正理由: - 訂正箇所: 引用文献情報訂正内容: Wrong : 1) Y. Iwasawa: “X-ray Absorption Fine Structure for Catalysts and Surfaces” (World Scientific, Singapore, 1996).
3) D.C. Koningsberger and R. Prins: “X-ray Absorption: Principles, Applications, Techniques of EXAFS, SEXAFS and XANES” (John Wiley & Sons, New York, 1988).
4) J. Jaklevic, J.A. Kirby, M.P. Klein, A.S. Robertson, G.S. Brown and P. Eisenberger: Solid State Commun. 23, 679 (1977).
5) M. Nomura and A. Koyama: KEK Report 95-15 (1996).
6) F.W. Lytle, R.B. Greegor, D.R. Sandstrom, E.C. Marques, J. Wong, C.L. Spiro, G.P. Huffman and F.E. Huggins: Nucl. Instrum. Methods 226, 542 (1984).
7) K. Zhang, G.Rosenbaum and G. Bunker: Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 32-2,147 (1993).
8) N.J. Schevchik and D.A. Fischer: Rev. Sci. Instrum. 50, 577 (1979).
9) I. Watanabe and H. Tanida: Anal. Sci. 11, 525 (1995).
10) G. Tourillon, E. Dartyge, A. Fontaine, M. Lemmonier and F. Bartol: Physics Lett. A 121, 251 (1987).
11) G. Schütz, P. Fischer, S. Stähler, M. Knülle and K. Attenkofer: Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 32-2, 869 (1993).
12) Y.U. Idzerda, C.T. Chen, H.-J. Lin, H. Tjeng and G. Meigs: Physica B 208/209, 746 (1995).
14) C. Giles, C. Malgrange, J. Goulon, F. Bergevi, C. Vettier, E. Dartyge, A. Fontaine, C. Giorgetti and S. Pizzini: J. Appl.Crystallogr. 27, 232 (1994).
15) D.J. Tweet, K. Akimoto, I. Hirosawa, T. Tatsumi, H. Kimura, J. Mizuki, L.B. Sorensen, C.E. Bouldin and T. Matsushita: Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 32-2, 203 (1993).

Right : 1) Y. Iwasawa: “X-ray Absorption Fine Structure for Catalysts and Surfaces” (World Scientific, Singapore, 1996).
3) D.C. Koningsberger and R. Prins: “X-ray Absorption: Principles, Applications, Techniques of EXAFS, SEXAFS and XANES” (John Wiley & Sons, New York, 1988).
4) J. Jaklevic, J.A. Kirby, M.P. Klein, A.S. Robertson, G.S. Brown and P. Eisenberger: Solid State Commun. 23, 679 (1977).
5) M. Nomura and A. Koyama: KEK Report 95-15 (1996).
6) F.W. Lytle, R.B. Greegor, D.R. Sandstrom, E.C. Marques, J. Wong, C.L. Spiro, G.P. Huffman and F.E. Huggins: Nucl. Instrum. Methods 226, 542 (1984).
7) K. Zhang, G.Rosenbaum and G. Bunker: Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 32-2,147 (1993).
8) N.J. Schevchik and D.A. Fischer: Rev. Sci. Instrum. 50, 577 (1979).
9) I. Watanabe and H. Tanida: Anal. Sci. 11, 525 (1995).
10) G. Tourillon, E. Dartyge, A. Fontaine, M. Lemmonier and F. Bartol: Physics Lett. A 121, 251 (1987).
11) G. Schütz, P. Fischer, S. Stähler, M. Knülle and K. Attenkofer: Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 32-2, 869 (1993).
12) Y.U. Idzerda, C.T. Chen, H.-J. Lin, H. Tjeng and G. Meigs: Physica B 208/209, 746 (1995).
14) C. Giles, C. Malgrange, J. Goulon, F. Bergevi, C. Vettier, E. Dartyge, A. Fontaine, C. Giorgetti and S. Pizzini: J. Appl.Crystallogr. 27, 232 (1994).
15) D.J. Tweet, K. Akimoto, I. Hirosawa, T. Tatsumi, H. Kimura, J. Mizuki, L.B. Sorensen, C.E. Bouldin and T. Matsushita: Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 32-2, 203 (1993).

抄録

表面の研究に放射光を光源とするXAFS法を利用することが多くなってきている。通常の蛍光XAFSは数百Aの薄膜や希薄試料に,全反射蛍光XAFSは数百A以下の薄膜や吸着層に,転換電子収量法は数十A以上の薄膜を簡便に測定するのに適している。最近のX線の偏光作成,利用技術,界面研究に期待できるDAFSについて簡単に紹介し,新しい放射光源の表面XAFS研究への活用について考える。

責任著者(Corresponding author)

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