紫外一可視,赤外分光エリプソメトリーをプラズマCVD法によるSi:H薄膜作製過程に適用した結果,堆積初期過程において膜構造は,基板の反応性,表面ラフネスに強く反映されることがわかった。また原子レベルで平坦なテラス構造を有する水素終端c-Si(111)上では,成長初期において,水素を多量に有する疎なSi:H薄膜が一様にlayer-by-layerで堆積することが示唆された。この疎な原因は,多量の水素が蓄積した膜構造であることが考えられるが現在検討中である。